美版三星S8被曝混用UFS2.1/2.0闪存，国行是否会躺枪？

这段时间华为P10的闪存门闹得沸沸扬扬，起因是有网友发现P10居然混用了eMMC、UFS闪存颗粒。虽然华为坚称eMMC、UFS闪存并不影响手机体验，可用户对这一解释并不买账（其实两者的差距确实蛮大的，深入了解《华为P10闪存门持续发酵，eMMC和UFS区别是什么？》）然而P10闪存门还没告一段落，三星S8就被曝同样混用了闪存颗粒。据POPPUR了解，国外知名Android论坛XDA的开发者发现，三星悄悄地把官网中的S8参数进行了尊享，UFS 2.1的字样已经被撤下来了。

随后这名开发者也在论坛中分享了三星S8检测方法：利用“Terminal Emulator for Android”进行检测，输入“cat/proc/scsi/scsi”命令后，如果出现的结果为KLUCG4J1ED-B0C1，则表示闪存为三星生产的UFS 2.1，若出现THGAF4G9N4LBAIRB，则代表这是东芝生产的UFS 2.1，而出现THGBF7G9L4LBATRC的话，那就是东芝生产的UFS 2.0（UFS 2.1读取速度为700-800 MBps , 而UFS 2.0为500-600 MBps）

不少国外用户根据这一方法进行了检测，果然发现了混用现象...其中超过一半的Exynos 8895版本S8使用的都是UFS 2.1颗粒，而骁龙835版本S8则出现了明显的UFS 2.0/2.1混用现象。

事件一经报道，很快就在中国引起了轩然大波。难道这次购买S8也要“抽奖”？其实不是啦，根据三星高级员工的说法，国行Galaxy S8/S8+一律使用UFS 2.1闪存颗粒，并不存在闪存混用现象。大家大可放心购买，不用“抽奖”~（S8国行潜台词：随便你怎么测，测出UFS 2.0算我输！）PS：三星将会在5月18日举行Galaxy S8国行发布会，预计月底就能开售了。

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