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经过去年的P10闪存门之后，现在各位购买手机的时候，大都会在UFS、eMMC上多留一个心眼，倒逼手机厂商在旗舰机型用上更高规格的闪存。而最近固态技术协会JEDEC正式发布了UFS3.0标准，通过硬件改进让大家能用上更快更流畅的手机。
三星、SK海力士等闪存厂商对UFS3.0芯片的研究早早就开始了，不过相关标准一直没有确定，而UFS3.0引入的HS-G4规范则是解决了这个问题。在性能方面，UFS3.0是前代UFS2.1的两倍，单通道带宽提升到11.6Gbps；而且因为UFS支持双通道双向读写，所以接口带宽可以达到惊人的23.2Gbps；另外功耗方面也得以进一步缩小，用在智能手机上是再合适不过。
就目前来看，三星在3D NAND上技术领先，其闪存的64层堆叠芯片已经开始量产，率先获益的自然是三星旗舰手机，即将登场的Galaxy S9就有望用上——当初Galaxy S6系列就是用上了UFS2.0闪存后，在读写速度上瞬间秒杀了其他安卓手机。至于三星的老对手苹果，则是在iPhone6s上开始将NVMe协议用到手机上，它比UFS的SCSI协议效率更高，虽然提升不如在电脑上明显，但是苹果为新技术做铺垫的勇气仍然值得肯定，至于孰优孰劣还得看S9登场之后的表现。
考虑到手机不同闪存容量版本往往价格差距巨大，而且云储存等方式也越来越方便，闪存大小的提升往往不如性能升级的性价比高；更何况现在堆料已经成为厂商寻求差异化的主要途径，率先使用上UFS3.0闪存也能给手机厂商和粉丝吹逼的资本。不知道各位购买手机的时候，会不会盯着UFS闪存不放呢（笑）？
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