随着 5G 时代的到来,智能手机的用途也逐渐增多。为了满足用户日益增长的需求,手机的硬件发展也要开始进入新的阶段。除了 SoC 之外,今年手机硬件的升级还体现在 RAM 和 ROM 上。LPDDR 5 RAM和UFS 3.1 ROM成为了今年主流旗舰手机的标配。以三星 Galaxy S20 为例,RAM 直接 12GB 起跳,而 Galaxy S20 Ultra 更是提供了 16GB 版本,堆料堆到了另一个新高度。

三星Galaxy S20 Ultra

而三星对这份生意很感兴趣,继量产 16GB LPDDR5 DRAM 之后,三星日前宣布开始大规模量产 512GB eUFS 3.1 闪存芯片。据 POPPUR 了解,eUFS 3.1的连续读取速度依然还是 2100MB/s,但其在连续写入和随机读取速度比上一代 eUFS 3.0 提升了 3 倍和 1.6 倍,分别达到 1200MB/s 和 100000 IOPS,同时随机写入速度也有小幅度的提升。根据三星的说法,eUFS 3.1 闪存只需 90 秒就能传输 100GB 的数据,可以有效确保 8K 视频快速流畅地存入手机。

三星量产512GB eUFS 3.1芯片

除了 512GB 版本之外,三星还会在今年晚些时候量产 128GB 和 256GB 的eUFS 3.1芯片。如无意外,eUFS 3.1芯片将会成为明年旗舰机型的标配。

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