CopyRight©2020-2030 www.poppur.com
随着 5G 时代的到来，智能手机的用途也逐渐增多。为了满足用户日益增长的需求，手机的硬件发展也要开始进入新的阶段。除了 SoC 之外，今年手机硬件的升级还体现在 RAM 和 ROM 上。LPDDR 5 RAM和UFS 3.1 ROM成为了今年主流旗舰手机的标配。以三星 Galaxy S20 为例，RAM 直接 12GB 起跳，而 Galaxy S20 Ultra 更是提供了 16GB 版本，堆料堆到了另一个新高度。
而三星对这份生意很感兴趣，继量产 16GB LPDDR5 DRAM 之后，三星日前宣布开始大规模量产 512GB eUFS 3.1 闪存芯片。据 POPPUR 了解，eUFS 3.1的连续读取速度依然还是 2100MB/s，但其在连续写入和随机读取速度比上一代 eUFS 3.0 提升了 3 倍和 1.6 倍，分别达到 1200MB/s 和 100000 IOPS，同时随机写入速度也有小幅度的提升。根据三星的说法，eUFS 3.1 闪存只需 90 秒就能传输 100GB 的数据，可以有效确保 8K 视频快速流畅地存入手机。
除了 512GB 版本之外，三星还会在今年晚些时候量产 128GB 和 256GB 的eUFS 3.1芯片。如无意外，eUFS 3.1芯片将会成为明年旗舰机型的标配。
上一篇：未发布先上架，苹果Powerbeats 4无线耳机现身商场
下一篇：Android 11双击功能新增预设指令，轻敲机身即可截屏